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| 主要な半導体メモリー |
| F-RAM（強誘電体ランダムアクセスメモリー）はラムトロン社により発明・開発され、他の半導体技術と統合して独自の優位性を提供します。製造されている半導体メモリーは揮発性か不揮発性かで二分化されます。揮発性メモリーはSRAMやDRAMで、RAMタイプの製品は使用が容易で高いパフォーマンスですが共通の弱点があります。それは電源がないと格納していたデータが消滅してしまうことです。 |
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| F-RAMのチップは一般にPZTと称される、チタン酸ジルコン酸鉛 [Pb(Zr,Ti)O3] の強誘電体薄膜で構成されています。(図1)PZT中のジルコニウム/チタンの原子は電界によりその極性が変わります。それにより2進スイッチを生み出します。RAM製品と異なり、F-RAMはPZTの結晶極性の保持により、電源がなくともそのデータを保持します。この独自の特性がF-RAMを低消費電力の不揮発性メモリーにしています。 |
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| F-RAMは、電力が取り除かれてもそのデータ内容を失わない不揮発性メモリーであるROMの一種でもあります。EEPROMやフラッシュメモリーはROMとして消去も再書き込みも可能ですが、高い電圧および長い書き込みの時間を必要とします。ROMベースのテクノロジーはやがて劣化し、その書込み回数も10の5乗回と少ない。それにより高耐久性を必要とするインダストリアルのアプリケーションには向きません。 |
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| F-RAMは一般のシリアルEEPROMの10,000倍の書き換え回数、3,000分の1の消費電力で、ほぼ500倍の書き換え速度があります。(図2) |
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| F-RAMはRAMとROMの良い部分を一つの製品にしたもので、そのパフォーマンスは他のメモリーより高速書き込み、高耐久性、低消費電力です。 |
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図1:PZT結晶構造 |
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図2:書込み速度比較 |
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*At 25 MHz, F-RAM writes 488 times faster than comparable EEPROM device. |
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