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革新的なエンジニアのためのスマートメモリー製品
新しい電子製品またはコンピューティング製品を速く市場に出すことは、今日の激しい競争社会において不可欠です。精通した製品技術者は、ラムトロンの最新不揮発性メモリー製品が、実質的無制限の書込み耐久性と低消費電力の優れた高速データストレージを提供していることを知っています。アプリケーションのニーズが印刷カートリッジメモリーであろうと、RAID技術であろうと、最新のPDA用の最新MCUであろうと、ラムトロンは優れたF-RAMメモリー製品を提供します。
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F-RAMは、SSDのヴァーチャル・ブロック・トゥー・セクターに最適です。

ソリッド・ステート・ディスク(SSD)は、不揮発性メモリー(フラッシュ)と揮発性メモリー(SDRAM)を使ってデータを保管するデータストレージ製品です。  SSDは好評で、ウルトラモバイルPC(UMPC)のハードディスクドライブ(HDD)や、ノートパソコンに取って代わっています。というのも、SSDには移動式のパーツがなく、頑丈で振動に強く、また高度での操作制限がありません。

SSDコントローラはフラッシュメモリーを、固定サイズのデータブロックの読出しや書込みを可能にする、ディスクセクターに良く似たブロック装置として扱っています。これによってFAT(ファイル・アソシエート・テーブル)のような磁気ディスク用に設計される標準ファイル・システムが可能になります。

フラッシュ:寿命の問題
一連のデータを単純な直線状にフラッシュのアドレスにマッピングする方法には問題が2点あります。まず1点目は、マッピングされたファイルシステムがフラッシュ上にある時、中古の消去コマンドがすぐ磨耗してしまうことがよくあり、アクセス時間をスローにし、遂には完全に消耗してしまいます。この問題は、より洗練されたブロック・トゥー・フラッシュのマッピング方式を使い、ウェア・レベリング(磨耗平滑化)と呼ばれるように、ブロックをあちこに移動することで解決できます。

2点目の問題は、書込みデータブロックがフラッシュの消去ユニットよりも小さいという点です。ファイルシステムが使用するデータブロックがそれぞれ4KBで、フラッシュ消去ユニットがそれぞれ128KBだと仮定してみましょう。もし4KBのブロックが識別マッピングを使ってフラッシュのアドレスにマッピングされる場合、4KBのブロックの書込みには128KBのフラッシュ消去ユニット(ブロック)のRAMへのコピー、適切な4KB領域への上書き、フラッシュ消去ユニットの消去、そしてRAMからの書直しが要求されます。更に、フラッシュ消去ユニットが装置に書直ししている間に停電になった場合、128KBのデータが紛失してしまいます。ウェア・レベリングはこの問題も解決しますが、その設計過程に複雑性と経費を加えることになります。

F-RAMは、SSDのヴァーチャル・ブロック・トゥー・セクターに最適です。
F-RAMはソリッド・ステート・ディスクがSSD産業の抱えていた耐久性の問題を解決し、バックアップ・バッテリーの排除、システムの電力消費の改善、信頼性の向上そしてフォームファクターの縮小を可能にします。

F-RAM:高耐久性、レべリングを必要としない
SSDにおいて、フラッシュのヴァーチャル・ブロック・トゥー・セクター・マップ(ホットデータ)で要求される耐久性とウェア・レベリングは、ヴァーチャル・ブロック・トゥー・セクター・マップをF-RAM装置の中に保管することによってすべて排除することができます。

F-RAMは実質的無制限の耐久性 (1E+14)を提供します。そして、バイト粒度での書込みができ、NANDフラッシュのようなブロック消去制約がありません。

F-RAMが皆さんの次のソリッド・ステート・ディスクの設計をどのように改善できるか、F-RAMアプリケーション技術者までお問い合わせ下さい。

Eメールでのお問い合わせ: framinfo@ramtron.com お電話でのお問い合わせ: 719-481-7000.

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